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第三代半導體器件制備及評價手藝獲沖破

放大字體  縮小字體 發布日期:2018-08-31  來源:南寧格力空調售后維修電話  作者:http://www.jhysl-hb.com/  瀏覽次數:207

以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速度及抗強輻射能力等優良機能,在光電子和微電子范疇具有主要的利用價值,適于建造高溫、高頻、抗輻射及年夜功率電子器件。


據科技部網站動靜,“十二五”時代,863打算重點撐持了“第三代半導體器件制備及評價手藝”項目。近日,科技部高新司在北京組織召開項目驗收會,項目重點環繞第三代半導體手藝中的要害材料、要害器件和要害工藝進行研究,開辟出基于新型基板的第三代半導體器件封裝手藝,知足對應高機能封裝和低本錢消費級封裝的需求,研制出高帶寬GaN發光器件及基于發光器件的可見光通訊手藝,并實現智能家居演示系統的試制;展開第三代半導體封裝和系統靠得住性研究,構成相干尺度或手藝規范;制備出高機能SiC基GaN器件。經由過程項目標實行,我國在第三代半導體要害的SiC和GaN材料、功率器件、高機能封裝和可見光通信等范疇獲得沖破,自立成長出相干材料與器件的要害手藝,有助于支持我國在節能減排、現代信息工程、現代國防扶植上的重2A12鋁板年夜需求。


“十三五”時代,為進一步鞭策我國材料范疇科技立異和財產化成長,科技部制訂了《“十三五”材料范疇科技立異專項計劃》,將“計謀進步前輩電子材料”列為成長重點之一,以第三代半導體材料與半導體照明、新型顯示為焦點,以年夜功率激光材料與器件、高端光電子與微電子材料為重點,鞭策跨界手藝整合,搶占進步前輩電子材料手藝的制高點。

 
 
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